Твердотельный накопитель Samsung 980 500 ГБ M.2 MZ-V8V500BW

Артикул: 159011SG

Форм-фактор 2280, M
Емкость 500 ГБ
Скорость чтения/записи 3100 МБ/с / 2600 МБ/с
Интерфейсы PCI-E
Разъем M.2
Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4
Тип флэш-памяти V-NAND 3-bit MLC
Контроллер Samsung Pablo
Потребляемая мощность 4.3 Вт
Время наработки на отказ 1500000 ч
Рекомендован для ноутбука и настольного компьютера, игровой
ШхДхВ 22.15х80.15х2.38 мм, вес: 8 г

6 960₽

Если Вы купите этот товар, то получите 70 бонусных баллов!

Оставьте свой отзыв о товаре и получите 30 бонусных баллов

Твердотельный накопитель Samsung 980 500 ГБ M.2 MZ-V8V500BW

Жесткий диск SSD M.2 500GB Samsung MZ-V8V500BW 980 PCI-E 3.0 x4 R3100/W2600Mb/s Type 2280 300TBW

Данный SSD накопитель SAMSUNG 980 MZ-V8V500BW подойдет для модернизации существующего ПК. Также его можно установить в качестве основного накопителя в новый компьютер. Объем виртуального пространства, им предлагаемый, равен 500 Гб. Форм-фактор изделия — М.2 2280. Производитель сообщил ему интерфейс PCI-E x4, что делает возможной высокую скорость обработки информации. Чтение осуществляется на скорости до 3100 Мб/с, а запись — 2600 Мб/с.
Время наработки на отказ у SSD накопителя SAMSUNG 980 MZ-V8V500BW составляет 1500000 часов. Здесь установлен контроллер NAND Samsung Pablo Controller. Тип памяти NAND — V-NAND. Скорость произвольного чтения составляет 400000, а записи — 470000. Реализована поддержка NVMe. Ресурс TBW равен целым 300 Тб. Модель отличается экономичностью, поскольку ее потребляемая мощность при обычном функционировании равна всего 5.9 Вт, а при переходе в режим ожидания понижается до 0.045 Вт.

Артикул: 159011SG Категория: Диски SSD

Основные характеристики

Линейка	980
Емкость	500 ГБ
Тип флэш-памяти	V-NAND 3-bit MLC
Контроллер	Samsung Pablo
Назначение	для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Форм-фактор	2280

Подключение

Интерфейсы	PCI-E
Разъем	M.2
Тип разъема M.2	2280, M
Тип PCI-E	PCI-E 3.0 x4

Параметры накопителя

Скорость чтения	3100 МБ/с
Скорость записи	2600 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	470000 IOPS

Ударостойкость и ресурс работы

Ударостойкость при хранении	1500 G
Время наработки на отказ	1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	300 ТБ

Функции

Поддержка технологий

TRIM, NVMe, Шифрование данных, Поддержка секторов размером 4 КБ

Дополнительно

Макс. рабочая температура	70 °C
Потребляемая мощность	4.3 Вт
Высота	2.38 мм
Длина	80.15 мм
Ширина	22.15 мм
Вес	8 г