Твердотельный накопитель Samsung 970 EVO Plus 500 ГБ M.2 MZ-V7S500BW

Артикул: 157376SG

Форм-фактор 2280
Емкость 500 ГБ
Скорость чтения/записи 3500 МБ/с / 2300 МБ/с
Интерфейсы PCI-E
Разъем M.2
Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4
Объем буфера 512 МБ

4 300₽

Если Вы купите этот товар, то получите 43 бонусных баллов!

Оставьте свой отзыв о товаре и получите 30 бонусных баллов

Твердотельный накопитель Samsung 970 EVO Plus 500 ГБ M.2 MZ-V7S500BW

SSD M.2 накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S250BW], объем которого равен 500 ГБ, представляет из себя решение для профессионалов, нуждающихся в очень высокой скорости обработки данных. Модель также станет великолепным выбором для частных пользователей, которые привыкли эксплуатировать, без преувеличения, лучшую технику. Скоростные возможности модели невероятны: максимальная скорость последовательного чтения составляет 3500 МБ/с, а максимальная скорость последовательной записи – 2300 МБ/с.
SSD M.2 накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S250BW] работает на базе фирменного контроллера Samsung Phoenix. Тип памяти – TLC 3D NAND. Накопитель соответствует форм-фактору 2280, имея длину и ширину, которые равны 80 и 22 мм соответственно. Ключ M.2 разъема – M.
SSD M.2 накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S250BW] исключительно надежен: модель характеризуется показателем MTBF, составляющим невероятные 1.5 миллиона часов. Ресурс устройства оценивается производителем в 150 TBW. Энергопотребление накопителя крайне невелико: величина этого показателя равна лишь 8 Вт.

Артикул: 157376SG Категория: Диски SSD

Основные характеристики
Линейка	970 EVO Plus
Емкость	500 ГБ
Тип флэш-памяти	V-NAND 3-bit MLC
Контроллер	Samsung Phoenix
Назначение	для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор	2280

Подключение
Интерфейсы	PCI-E
Разъем	M.2
Тип PCI-E	PCI-E 3.0 x4

Параметры накопителя
Объем буфера	512 МБ
Скорость чтения	3500 МБ/с
Скорость записи	3200 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	550000 IOPS

Ударостойкость и ресурс работы
Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
Время наработки на отказ	1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	300 ТБ

Функции
Поддержка технологий	TRIM, NVMe, Шифрование данных, Поддержка секторов размером 4 КБ

Дополнительно
Макс. рабочая температура	70 °C
Высота	2.38 мм
Длина	80.15 мм
Ширина	22.15 мм
Вес	8 г
Дополнительная информация	NVMe 1.3